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第三代高壓超結（Super Junction）MOSFET技術
基于電荷平衡原理，在全面提升了功率MOSFET的導通特性和開關特性的基礎上，結合先進的深槽刻蝕工藝能力，新潔能推出了一系列Super Junction 功率MOSFET產品，已廣泛應用于光伏逆變、大功率電源、LED照明、手機充電器、筆記本適配器等領域。
通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，新潔能最新推出了Super Junction MOSFET III 系列產品，具有更快的開關速度、更低的導通損耗，極低的柵極電荷Qg，實現了器件功率損耗更低，系統效率更高，雪崩耐量和ESD能力更優，器件應用可靠性更強。此外，第三代產品采用自主創新技術，優化了器件開關特性，在系統應用中具有更好的EMI表現，為系統設計提供了更大余量。
優勢與特點：
更低的Rsp，更低的柵極電荷，更低的開關損耗
更高的輕載效率，優化的體二極管特性，符合ROSH標準
與競爭對手參數對比優勢（NCE65T360K為例）
◆ SJ-MOS III 導通電阻Rdson較競爭對手最新同規格產品降低10%以上
◆ SJ-MOS III 柵極電荷Qg較競爭對手最新同規格產品降低30%
◆ SJ-MOS III 較競爭對手最新同規格產品的雪崩電流Ias能力
◆ SJ-MOS III 較競爭對手最新同規格產品的抗靜電ESD(HBM)能力高70%
典型應用電路
產品系列
↓650V SJ III 產品
↓800V SJ III 產品
