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第二代高壓超結（Super Juntion）MOSFET技術
采用先進的耐壓原理和優化的設計結構,全新700～900V SJ-MOS Ⅱ系列產品為系統應用提供充足的耐壓余量，簡化系統設計難度，提高系統可靠性，滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。
特性： - 更高的耐壓為系統設計和應用提供更充足的余量 - 更低的導通電阻，利于降低導通損耗 - 極低的柵極電荷，提供更快的開關速度 - 同規格下更小的封裝體積，使系統更輕便 - 100% 雪崩能力測試，確保產品質量可靠 | 應用： - 正激電路 - 準諧振反激電路 - 適配器 - 太陽能逆變器 - 工業整流 |
選擇指南
Vce | R(on) | SOP-8 | TO-251S | TO-251 | TO-252 | TO-263 | TO-220F | TO-220 |
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700V | 1.2Ω | NCE70R1K2S | NCE70R1K2L | NCE70R1K2 | ||||
700V | 0.87Ω | - | NCE70R900L | |||||
700V | 0.54Ω | - | NCE70R540L | |||||
700V | 0.36Ω | - | - | - | NCE70R360K | NCE70R360D | NCE70R360F | NCE70R360 |
700V | 0.26Ω | - | - | - | - | NCE70R260D | NCE70R260F | NCE70R260 |
700V | 0.17Ω | - | - | - | - | - | NCE70R180F | NCE70R180 |
800V | 1.0Ω | - | NCE80R1K2L | NCE80R1K2I | NCE80R1K2K | NCE80R1K2D | NCE80R1K2F | NCE80R1K2 |
800V | 0.82Ω | - | NCE80R900L | NCE80R900K | NCE80R900D | NCE80R900F | NCE80R900F | NCE80R900 |
900V | 1.0Ω | - | NCE90R1K2L | NCE90R1K2D | NCE90R1K2 |
