手機快充同步整流MOSFET推薦

采用先進的耐壓原理和優化的設計結構,全新700～900V  SJ-MOS Ⅱ系列產品為系統應用提供充足的耐壓余量，簡化系統設計難度，提高系統可靠性，滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。

實現快速充電必然需要加大充電功率。大功率意味著充電器體積的增加，作為移動電子設備配件，充電器體積必須做到小型化，方便隨身攜帶，這對電源效率，溫升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的發展。目前代表性的快充解決方案以PI，Iwatt為主。均采用同步整流，以提高電源效率，降低溫度。

下圖是PI QC3.0方案電路原理圖。

主芯片采用SC1271K，該芯片內部集成了初級開關管、PWM 控制器、次級同步整流控制器。輸出部分的協義芯片為SC0163D，完整的支持高通的 QC3.0 Class A 規格，兼容 QC2.0 的Class A 規格。

典型產品如小米5手機充電器MDY-08-EH?？蓪崿F充電5分鐘能通話2.5小時。輸出：5V2.5A，9V2A，12V1.5A，標稱最大輸出功率 18W；達到了主流快充充電器的輸出水準。

無錫新潔能針對此應用推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS，NCE0114AS，NCEP0160G，并采用最新的Super Trench 工藝。SuperTrench MOS采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（ShieldGate Deep Trench）技術，全面提升了器件的開關特性和導通特性，同時降低了器件的特征導通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）,新款Super Trench MOS 軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰。

èNCEP6020AS（60V 20A）

- SOP-8封裝
- Vth=1.7V
- Ron10=4.0mR (Typ.) 
- Ron4.5=4.4mR(Typ.)
- Qgd=10nC

èNCE0110AS

- SOP-8封裝
- VDS= 100V,ID =10A
- RDS(ON)< 17m? @ VGS=10V (Typ:14m?)
- RDS(ON)< 20m? @ VGS=4.5V (Typ:15.2m?) 

èNCE0114AS

- SOP-8封裝

- VDS =100V,ID =14A
- RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V
- RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V

- DFN5X6-8L(同SOP-8封裝兼容)
- VDS =100V,ID =60A
- RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V

?NCE0114AS在一款采用PI方案INN2215K方案的24W快充產品上，在較苛刻的測試條件下實測效率高達88.5%。測試條件：輸入90V AC，輸出8V3A。NCE0160G相比NCE0114AS，Rdson更低，電流更大，熱阻低至0.7℃/W,適合一些要求更嚴格的場合。?

同時，新潔能針對OB，Iwtt一些非集成初級MOS方案，可提供TO-251.TO-252等小體積超結MOS。相對于VDMOS，具有更低的導通電阻，利于降低導通損耗，極低的柵極電荷，提供更快的開關速度，同規格下更小的封裝體積，減小產品尺寸。 TO-251,TO-252封裝下最大可提供11A650V。普通VDMOS則較難做到如此小型封裝。

超結產品目錄：http://www.maoye21.com/proSuperJunctionMOSFETs.aspx?Cateid=71